Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ICE60N130W
Product Overview
Κατασκευαστής:
IceMOS Technology
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ICE60N130W-DG
Περιγραφή:
Superjunction MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247
Αποθέμα:
90 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001928
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ICE60N130W Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
IceMOS Technology
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 13A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
208W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
5133-ICE60N130W
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIHK105N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
E3M0040120K
SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-
G2003A
MOSFET N-CH 190V 3A SOT-23-3L
