R6007JND3TL1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

R6007JND3TL1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

R6007JND3TL1-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount TO-252

Αποθέμα:

13526388
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

R6007JND3TL1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
780mOhm @ 3.5A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
7V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17.5 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
475 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
96W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6007

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
R6007JND3TL1TR
R6007JND3TL1DKR
R6007JND3TL1CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RCX120N20

MOSFET N-CH 200V 12A TO220FM

rohm-semi

RU1C001UNTCL

MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F

rohm-semi

RK7002AT116

MOSFET N-CH 60V 300MA SST3

rohm-semi

RQ7E055ATTCR

MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8