Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RCX120N20
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RCX120N20-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220FM
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 12A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Αποθέμα:
13526394
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RCX120N20 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
325mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.25V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
740 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.23W (Ta), 40W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FM
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
RCX120
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Έγγραφα αξιοπιστίας
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLI630GPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
991
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLI630GPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFI630GPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1686
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFI630GPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RU1C001UNTCL
MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
RK7002AT116
MOSFET N-CH 60V 300MA SST3
RQ7E055ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
