Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
HS8K1TB
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
HS8K1TB-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HSML3030L10
Αποθέμα:
10480 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524957
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
HS8K1TB Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta), 11A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-UDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
HSML3030L10
Βασικός αριθμός προϊόντος
HS8K1
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
HS8K1TBCT
HS8K1TBDKR
HS8K1TBTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SH8KA1GZETB
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
SP8M7FU6TB
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOP
SH8M41GZETB
MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
