Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
QS5U13TR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
QS5U13TR-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
Αποθέμα:
2999 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525925
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
LX2e
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
QS5U13TR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
175 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Isolated)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.25W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT5
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Βασικός αριθμός προϊόντος
QS5U13
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
QS5U13DKR
QS5U13CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
QS5U12TR
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2608
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
QS5U12TR-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.20
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RDD020N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
RD3H080SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 8A TO252
RDD050N20TL
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
