RD3H080SPFRATL
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RD3H080SPFRATL

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RD3H080SPFRATL-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 45 V 8A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount TO-252

Αποθέμα:

1833 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525945
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RD3H080SPFRATL Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
45 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
91mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1000 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
15W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
RD3H080

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RD3H080SPFRATLCT
RD3H080SPFRATLDKR
RD3H080SPFRATLTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RDD050N20TL

MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

rohm-semi

R6025JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM

rohm-semi

RDD020N60TL

MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

rohm-semi

RQ3L090GNTB

MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT