Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
QH8JB5TCR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
QH8JB5TCR-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 40V 5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Αποθέμα:
2582 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12948901
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
QH8JB5TCR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
41mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17.2nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
920pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
1.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT8
Βασικός αριθμός προϊόντος
QH8JB5
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-QH8JB5TCRDKR
846-QH8JB5TCRTR
846-QH8JB5TCRCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SH8JB5TB1
MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
SD5400CY SOIC 14L ROHS
MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 14SOIC
SD5401CY SOIC 14L ROHS
MOSFET 4N-CH 10V 0.05A 14SOIC
