SH8JB5TB1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SH8JB5TB1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SH8JB5TB1-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 40V 8.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Αποθέμα:

12780 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12948903
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SH8JB5TB1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
51nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2870pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
1.4W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
SH8JB5

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-SH8JB5TB1DKR
846-SH8JB5TB1TR
846-SH8JB5TB1CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
linear-integrated-systems

SD5400CY SOIC 14L ROHS

MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 14SOIC

linear-integrated-systems

SD5401CY SOIC 14L ROHS

MOSFET 4N-CH 10V 0.05A 14SOIC

diodes

DMN2022UDH-7

MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8

vishay-siliconix

SI7252ADP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8