HP8S36TB
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

HP8S36TB

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

HP8S36TB-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP

Αποθέμα:

13525387
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

HP8S36TB Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τεχνολογία
-
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Half Bridge)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A, 80A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 32A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
47nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6100pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
29W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
HP8S36

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
HP8S36TBDKR
HP8S36TBTR
HP8S36TBCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

US6M11TR

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

rohm-semi

SH8M12TB1

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

rohm-semi

SH8M11TB1

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

rohm-semi

UM6K1NTN

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT6