US6M11TR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

US6M11TR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

US6M11TR-DG

Περιγραφή:

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount TUMT6

Αποθέμα:

13750 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525404
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

US6M11TR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V, 12V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.5A, 1.3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
110pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, Flat Leads
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TUMT6
Βασικός αριθμός προϊόντος
US6M11

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
US6M11CT
US6M11DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

SH8M12TB1

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

rohm-semi

SH8M11TB1

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

rohm-semi

UM6K1NTN

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT6

rohm-semi

US6M2TR

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6