Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
HP8ME5TB1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
HP8ME5TB1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Αποθέμα:
1193 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12787955
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
HP8ME5TB1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Standard
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Ισχύς - Μέγιστη
3W (Ta), 20W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-HP8ME5TB1DKR
846-HP8ME5TB1CT
846-HP8ME5TB1TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
HT8KE6TB1
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
HP8KE6TB1
MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP
SIZF4800LDT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
