Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
HT8KE6TB1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
HT8KE6TB1-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 4.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 14W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Αποθέμα:
4000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12787956
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
HT8KE6TB1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel
Δυνατότητα FET
Standard
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
57mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.7nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
305pF @ 50V
Ισχύς - Μέγιστη
2W (Ta), 14W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSMT (3.2x3)
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-HT8KE6TB1DKR
846-HT8KE6TB1CT
846-HT8KE6TB1TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
HP8KE6TB1
MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP
SIZF4800LDT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
SIS9446DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 11.3A/34A PPAK
