Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
HS8K11TB
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
HS8K11TB-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
Αποθέμα:
1372 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524843
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
HS8K11TB Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A, 11A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
17.9mOhm @ 7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11.1nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
500pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-UDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
HSML3030L10
Βασικός αριθμός προϊόντος
HS8K11
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
HS8K11TBDKR
HS8K11TBCT
HS8K11TBTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SM6K2T110
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6
SH8K41GZETB
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
TT8M3TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
