Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
HP8KA1TB
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
HP8KA1TB-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 14A 3W Surface Mount 8-HSOP
Αποθέμα:
2500 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524044
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
HP8KA1TB Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
14A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 14A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2550pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
3W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
HP8KA1
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
HP8KA1TBTR
HP8KA1TBDKR
HP8KA1TBCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
HP8M31TB1
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
BSM180D12P3C007
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
QH8KA4TCR
MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
