Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
HP8M31TB1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
HP8M31TB1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 8.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Αποθέμα:
1 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524089
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
HP8M31TB1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
HP8M31
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
HP8M31TB1DKR
HP8M31TB1TR
HP8M31TB1CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSM180D12P3C007
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
QH8KA4TCR
MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
SP8J65TB1
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
