2SCR583D3FRATL
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2SCR583D3FRATL

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2SCR583D3FRATL-DG

Περιγραφή:

NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, POWE
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 7 A 280MHz 10 W Surface Mount TO-252

Αποθέμα:

2467 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12986552
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2SCR583D3FRATL Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Μονοπολικοί Διπόλοι Τρανζίστορ
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
NPN
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
7 A
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50 V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
350mV @ 150mA, 3A
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
1µA (ICBO)
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
180 @ 1A, 3V
Ισχύς - Μέγιστη
10 W
Συχνότητα - Μετάβαση
280MHz
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-2SCR583D3FRATLTR
846-2SCR583D3FRATLDKR
846-2SCR583D3FRATLCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2SCR583D3TL1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3656
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2SCR583D3TL1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.52
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
renesas-electronics-america

2SD1579-T-AZ

2SD1579-T-AZ - SMALL SIGNAL BIPO

microchip-technology

2N4070

POWER BJT

microchip-technology

2C5000

POWER BJT

microchip-technology

2N6352P

POWER BJT