2N6352P
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2N6352P

Product Overview

Κατασκευαστής:

Microchip Technology

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2N6352P-DG

Περιγραφή:

POWER BJT
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 5 A 2 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

Αποθέμα:

12986578
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2N6352P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Μονοπολικοί Διπόλοι Τρανζίστορ
Κατασκευαστής
Microchip Technology
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
NPN - Darlington
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
5 A
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
80 V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
2.5V @ 10mA, 5A
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
1µA
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
2000 @ 5A, 5V
Ισχύς - Μέγιστη
2 W
Συχνότητα - Μετάβαση
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-65°C ~ 200°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
TO-213AA, TO-66-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-66 (TO-213AA)

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
150-2N6352P

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
microchip-technology

JANKCBR2N2221A

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N5315

POWER BJT

microchip-technology

2C3634-MSCL

SMALL-SIGNAL BJT