Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
QJD1210010
Product Overview
Κατασκευαστής:
Powerex Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
QJD1210010-DG
Περιγραφή:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module
Αποθέμα:
12842237
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
QJD1210010 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Powerex
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Discontinued at Digi-Key
Τεχνολογία
Silicon Carbide (SiC)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
500nC @ 20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
10200pF @ 800V
Ισχύς - Μέγιστη
1080W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Συσκευασία / Θήκη
Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Module
Βασικός αριθμός προϊόντος
QJD1210
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVMD6P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
MCH6663-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH
NTMFD5C650NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
