Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVMD6P02R2G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVMD6P02R2G-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12842275
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVMD6P02R2G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.8A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1700pF @ 16V
Ισχύς - Μέγιστη
750mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVMD6
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
2156-NVMD6P02R2G-OS
ONSONSNVMD6P02R2G
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
MCH6663-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH
NTMFD5C650NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
NTGD3133PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
