PJW7N04_R2_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJW7N04_R2_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJW7N04_R2_00001-DG

Περιγραφή:

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 6.5A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Αποθέμα:

12974465
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJW7N04_R2_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
42mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
410 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJW7N04

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
3757-PJW7N04_R2_00001CT
3757-PJW7N04_R2_00001DKR
3757-PJW7N04_R2_00001TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NVTYS003N04CLTWG

T6 40V N-CH LL IN LFPAK33

vishay-siliconix

SIR588DP-T1-RE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

infineon-technologies

IRLC120NB

MOSFET 100V 10A DIE

onsemi

NVTYS029N08HTWG

T8 80V N-CH SG IN LFPAK33