Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVTYS029N08HTWG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVTYS029N08HTWG-DG
Περιγραφή:
T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 6.4A (Ta), 21A (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Αποθέμα:
12974517
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVTYS029N08HTWG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.4A (Ta), 21A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
32.4mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 20µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
369 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.1W (Ta), 33W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-LFPAK
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1205, 8-LFPAK56
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NVTYS029N08HTWGDKR
488-NVTYS029N08HTWGTR
488-NVTYS029N08HTWGCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJC7476_R1_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
NVTYS006N06CLTWG
T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
NVD5863NLT4G-VF01
MOSFET N-CH 60V 14.9A/82A DPAK
