PJW4P06A_R2_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJW4P06A_R2_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJW4P06A_R2_00001-DG

Περιγραφή:

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 4A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Αποθέμα:

1255 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12987000
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
5Fw3
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJW4P06A_R2_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PJW
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
785 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJW4P06

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
3757-PJW4P06A_R2_00001TR
3757-PJW4P06A_R2_00001CT
3757-PJW4P06A_R2_00001DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJW4P06A-AU_R2_000A1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Panjit International Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12880
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJW4P06A-AU_R2_000A1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.10
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJW4P06A_R2_00001
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Panjit International Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1255
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJW4P06A_R2_00001-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.11
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN3061LCA3-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006

renesas-electronics-america

UPA2730TP-E2-AZ

UPA2730 - POWER FIELD-EFFECT TRA

onsemi

FDD9509L

FDD9509L

infineon-technologies

IAUA250N04S6N008AUMA1

OPTIMOS POWER MOSFET