Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PJS6602_S2_00001
Product Overview
Κατασκευαστής:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PJS6602_S2_00001-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A SOT23-6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 5.2A (Ta), 3.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Αποθέμα:
12997395
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PJS6602_S2_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel Complementary
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.2A (Ta), 3.4A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
36mOhm @ 5.2A, 4.5V, 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.1nC @ 4.5V, 7nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
396pF @ 10V, 522pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.25W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJS6602
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
3757-PJS6602_S2_00001TR
3757-PJS6602_S2_00001CT
3757-PJS6602_S2_00001DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVJD5121NT1G-M06
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
PJQ5848_R2_00001
MOSFET 2N-CH 40V 8.6A/30A 8DFN
CMS07NP03Q8-HF
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.3A 8SOP
