Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVJD5121NT1G-M06
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVJD5121NT1G-M06-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 295mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Αποθέμα:
59470 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12997460
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVJD5121NT1G-M06 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
295mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
26pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
250mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88/SC70-6/SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVJD5121
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NVJD5121NT1G-M06CT
488-NVJD5121NT1G-M06DKR
488-NVJD5121NT1G-M06TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJQ5848_R2_00001
MOSFET 2N-CH 40V 8.6A/30A 8DFN
CMS07NP03Q8-HF
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.3A 8SOP
PJL9836A_R2_00001
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOP
