PJQ4414P_R2_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJQ4414P_R2_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJQ4414P_R2_00001-DG

Περιγραφή:

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 8A (Ta), 25A (Tc) 2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount DFN3333-8

Αποθέμα:

4088 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12972453
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJQ4414P_R2_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Ta), 25A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
392 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta), 21W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN3333-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJQ4414

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
3757-PJQ4414P_R2_00001DKR
3757-PJQ4414P_R2_00001TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
goford-semiconductor

G01N20LE

MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23

wolfspeed

C3M0045065J1

650V 45 M SIC MOSFET

onsemi

NTMFS4983NBFT1G

MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN

panjit

PJQ5474A_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE