Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
C3M0045065J1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
C3M0045065J1-DG
Περιγραφή:
650V 45 M SIC MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Αποθέμα:
1475 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12972464
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
C3M0045065J1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Wolfspeed
Συσκευασία
Tube
Σειρά
C3M™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
47A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 17.6A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.6V @ 4.84mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
61 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
+19V, -8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1621 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
147W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
1697-C3M0045065J1
-3312-C3M0045065J1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTMFS4983NBFT1G
MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN
PJQ5474A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJC7403_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
