PJMF900N60EC_T0_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJMF900N60EC_T0_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJMF900N60EC_T0_00001-DG

Περιγραφή:

600V SUPER JUNCITON MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 22.5W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F

Αποθέμα:

1986 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12974457
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJMF900N60EC_T0_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
310 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
22.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ITO-220AB-F
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJMF900

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
3757-PJMF900N60EC_T0_00001

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NVMFWS014P04M8LT1G

MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE

panjit

PJW7N04_R2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

onsemi

NVTYS003N04CLTWG

T6 40V N-CH LL IN LFPAK33

vishay-siliconix

SIR588DP-T1-RE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE