PJL9415_R2_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJL9415_R2_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJL9415_R2_00001-DG

Περιγραφή:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 12A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Αποθέμα:

2015 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12974362
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJL9415_R2_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3168 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.7W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJL9415

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
3757-PJL9415_R2_00001DKR
3757-PJL9415_R2_00001TR
3757-PJL9415_R2_00001CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
epc-space

EPC7014UBC

GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB

panjit

PJD3NA50_L2_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

vishay-siliconix

SISS588DN-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM10N954L,EFF

COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13