Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
EPC7014UBC
Product Overview
Κατασκευαστής:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
EPC7014UBC-DG
Περιγραφή:
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 1A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Αποθέμα:
149 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12974365
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
EPC7014UBC Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
EPC Space
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
e-GaN®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 140µA
Vgs (Μέγ.)
+7V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
22 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-SMD
Συσκευασία / Θήκη
4-SMD, No Lead
Βασικός αριθμός προϊόντος
EPC7014
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
169
Άλλα ονόματα
4107-EPC7014UBC
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
HTSUS
0000.00.0000
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJD3NA50_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
SISS588DN-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
SSM10N954L,EFF
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
