Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
VEC2616-TL-H
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
VEC2616-TL-H-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A SOT28
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8
Αποθέμα:
12921887
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
VEC2616-TL-H Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Discontinued at Digi-Key
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A, 2.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.6V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
505pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-28FL/VEC8
Βασικός αριθμός προϊόντος
VEC2616
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
VEC2616-TL-H-DG
VEC2616-TL-HOSCT
2156-VEC2616-TL-H-OS
ONSONSVEC2616-TL-H
VEC2616-TL-HOSTR
VEC2616-TL-HOSDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
QS8M31TR
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3630
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
QS8M31TR-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.24
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8690-TL-H
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1009
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8690-TL-H-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.54
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
MCH6661-TL-W
MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SC88FL
FDMC7200S
MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
TSM300NB06DCR RLG
MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8DFN