Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
QS8M31TR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
QS8M31TR-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Αποθέμα:
3630 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526109
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
QS8M31TR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT8
Βασικός αριθμός προϊόντος
QS8M31
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
QS8M31DKR
QS8M31CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
