RFD16N05SM9A
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RFD16N05SM9A

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RFD16N05SM9A-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 16A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

8484 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12858580
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RFD16N05SM9A Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
47mOhm @ 16A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
80 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
900 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
72W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
RFD16N05

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RFD16N05SM9ADKR
RFD16N05SM9ATR
RFD16N05SM9ACT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTD4809N-1G

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

onsemi

NVMTS0D4N04CLTXG

MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW

renesas-electronics-america

2SK3484-AZ

MOSFET N-CH 100V 16A TO251

renesas-electronics-america

2SK3431-AZ

MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB