Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTD4809N-1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTD4809N-1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK
Αποθέμα:
12858581
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTD4809N-1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 11.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1456 pF @ 12 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.4W (Ta), 52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
I-PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTD48
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
ONSONSNTD4809N-1G
2156-NTD4809N-1G-ON
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVMTS0D4N04CLTXG
MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
2SK3484-AZ
MOSFET N-CH 100V 16A TO251
2SK3431-AZ
MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
