Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RFD16N05LSM9A
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RFD16N05LSM9A-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 16A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Αποθέμα:
13940 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12848234
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RFD16N05LSM9A Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
47mOhm @ 16A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
RFD16N05
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RFD16N05LSM9ACT
RFD16N05LSM9ADKR
RFD16N05LSM9ATR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AON6370
MOSFET N-CH 30V 23A/47A 8DFN
FCPF380N60
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
NTD4960NT4G
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A DPAK
