RFP50N06
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RFP50N06

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RFP50N06-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 131W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

664 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12848243
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RFP50N06 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2020 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
131W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
RFP50

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
RFP50N06-NDR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTTFS4C65NTAG

MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN

onsemi

FDD6612A

MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK

onsemi

FQU6N40CTU_NBEA001

MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK

onsemi

FDC606P

MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6