Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVTR4502PT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVTR4502PT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 1.13A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Αποθέμα:
2985 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12840952
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVTR4502PT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.13A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
200 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
400mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3 (TO-236)
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVTR4502
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NVTR4502PT1GOSCT
NVTR4502PT1G-DG
ONSONSNVTR4502PT1G
2156-NVTR4502PT1G-OS
NVTR4502PT1GOSDKR
NVTR4502PT1GOSTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI2303CDS-T1-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
15853
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI2303CDS-T1-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.12
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMP3160L-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7709
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMP3160L-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS314PEH6327XTSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
37184
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS314PEH6327XTSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.07
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDN352AP
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Fairchild Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDN352AP-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.13
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTR4171PT1G
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
NVTFS5826NLWFTWG
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8WDFN
BSS225H6327FTSA1
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
