Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTR4171PT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTR4171PT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 2.2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Αποθέμα:
15135 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12840974
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTR4171PT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
75mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
720 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
480mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3 (TO-236)
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTR4171
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NTR4171PT1G-DG
NTR4171PT1GOSDKR
2832-NTR4171PT1GTR
NTR4171PT1GOSTR
ONSONSNTR4171PT1G
NTR4171PT1GOSCT
2156-NTR4171PT1G-OS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVTFS5826NLWFTWG
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8WDFN
BSS225H6327FTSA1
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
MTB75N05HDT4
MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK
