NVMFWS0D5N04XMT1G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVMFWS0D5N04XMT1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVMFWS0D5N04XMT1G-DG

Περιγραφή:

40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 423A (Tc) 163W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Αποθέμα:

12986935
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVMFWS0D5N04XMT1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
423A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
0.52mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 240µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6250 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
163W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFN (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
488-NVMFWS0D5N04XMT1GTR
488-NVMFWS0D5N04XMT1GDKR
488-NVMFWS0D5N04XMT1GCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTHL025N065SC1

SIC MOS TO247-3L 650V

onsemi

NTTFS6H860NTAG

TRENCH 8 80V NFET

vishay-siliconix

SIR184LDP-T1-RE3

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

diodes

DMT67M8LSS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2