Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTHL025N065SC1
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTHL025N065SC1-DG
Περιγραφή:
SIC MOS TO247-3L 650V
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 99A (Tc) 348W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αποθέμα:
208 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12986941
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTHL025N065SC1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
99A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
28.5mOhm @ 45A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.3V @ 15.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
164 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3480 pF @ 325 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
348W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
450
Άλλα ονόματα
488-NTHL025N065SC1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTTFS6H860NTAG
TRENCH 8 80V NFET
SIR184LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
DMT67M8LSS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
