NVH4L075N065SC1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVH4L075N065SC1

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVH4L075N065SC1-DG

Περιγραφή:

SIC MOS TO247-4L 650V
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 148W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Αποθέμα:

450 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12979334
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVH4L075N065SC1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
38A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 15A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.3V @ 5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1196 pF @ 325 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
148W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4L
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
450
Άλλα ονόματα
488-NVH4L075N065SC1

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN10H220LFDF-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020

onsemi

NVTFWS070N10MCLTAG

PTNG 100V LL U8FL

diodes

DMT35M4LFDF-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

diodes

DMTH10H009LPSQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50