Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT35M4LFDF-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT35M4LFDF-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 13A (Tc) 860mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Αποθέμα:
4455 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12979340
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT35M4LFDF-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1009 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
860mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN2020-6 (Type F)
Συσκευασία / Θήκη
6-UDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT35M4LF
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMT35M4LFDF-7DKR
31-DMT35M4LFDF-7CT
31-DMT35M4LFDF-7TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMTH10H009LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
BSS123Q-13
BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
NTMT061N60S5F
SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88
