Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVH4L020N090SC1
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVH4L020N090SC1-DG
Περιγραφή:
SIC MOSFET 900V TO247-4L
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 900 V 116A (Tc) 484W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Αποθέμα:
881 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12997419
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVH4L020N090SC1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
900 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
116A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.3V @ 20mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
196 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4415 pF @ 450 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
484W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4L
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
450
Άλλα ονόματα
488-NVH4L020N090SC1TR-DG
488-NVH4L020N090SC1TR
488-NVH4L020N090SC1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJMF390N65EC_T0_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
PH6030DLVX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
R6006KNXC7G
600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI