R6006KNXC7G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

R6006KNXC7G

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

R6006KNXC7G-DG

Περιγραφή:

600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 6A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM

Αποθέμα:

987 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12997424
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

R6006KNXC7G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
830mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
40W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FM
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6006

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
846-R6006KNXC7G

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

PH4030DLAX

MOSFET N-CH 30V LFPAK

rohm-semi

R6024ENXC7G

600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW

panjit

PJS6421-AU_S1_000A1

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

rohm-semi

R6007KNXC7G

600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI