NVD5890NLT4G-VF01
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVD5890NLT4G-VF01

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVD5890NLT4G-VF01-DG

Περιγραφή:

NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK

Αποθέμα:

12972924
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVD5890NLT4G-VF01 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
24A (Ta), 123A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4760 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
4W (Ta), 107W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
488-NVD5890NLT4G-VF01TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
panjit

PJD7NA65_R2_00001

650V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJD50N10AL_L2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

panjit

PJD45P04_L2_00001

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

infineon-technologies

IAUC41N06S5N102ATMA1

MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8