PJD45P04_L2_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJD45P04_L2_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJD45P04_L2_00001-DG

Περιγραφή:

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 40 V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 2W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount TO-252

Αποθέμα:

1888 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12972941
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJD45P04_L2_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.5A (Ta), 45A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2030 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta), 63W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJD45

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3757-PJD45P04_L2_00001CT
3757-PJD45P04_L2_00001DKR
3757-PJD45P04_L2_00001TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IAUC41N06S5N102ATMA1

MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8

vishay-siliconix

IRLL014TRPBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

nxp-semiconductors

PSMN085-150K,518

NEXPERIA PSMN085-150K - 3.5A, 15

sanyo

2SK1447LS

2SK1447 - N-CHANNEL SILICON MOSF