NTUD3170NZT5G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTUD3170NZT5G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTUD3170NZT5G-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 220mA 125mW Surface Mount SOT-963

Αποθέμα:

109785 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12855484
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTUD3170NZT5G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
220mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
12.5pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
125mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-963
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-963
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTUD3170

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
8,000
Άλλα ονόματα
NTUD3170NZT5GOSCT
NTUD3170NZT5G-DG
NTUD3170NZT5GOSTR
NTUD3170NZT5GOSDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTLUD4C26NTBG

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A 6UDFN

onsemi

NDS8947

MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC

onsemi

VEC2315-TL-W

MOSFET 2P-CH 60V 2.5A SOT28

onsemi

NVMFD5485NLT3G

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8DFN