Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NDS8947
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NDS8947-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12855519
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NDS8947 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.8V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
690pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
900mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
NDS894
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
NDS8947TR
NDS8947CT
NDS8947CT-NDR
NDS8947TR-NDR
NDS8947DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS4935BZ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
10800
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS4935BZ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.31
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
VEC2315-TL-W
MOSFET 2P-CH 60V 2.5A SOT28
NVMFD5485NLT3G
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8DFN
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963
