Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTR1P02LT3G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTR1P02LT3G-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Αποθέμα:
19457 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12856455
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTR1P02LT3G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
220mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.25V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.5 nC @ 4 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
225 pF @ 5 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
400mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3 (TO-236)
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTR1P02
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
NTR1P02LT3GOSCT
2156-NTR1P02LT3G-OS
NTR1P02LT3GOSTR
NTR1P02LT3G-DG
NTR1P02LT3GOSDKR
ONSONSNTR1P02LT3G
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTPF082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A TO220F
NVATS5A114PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 60V 60A ATPAK
NTMFS5830NLT1G
MOSFET N-CH 40V 28A/172A 5DFN
