NTMFS5830NLT1G

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTMFS5830NLT1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTMFS5830NLT1G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 40V 28A/172A 5DFN

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 40 V 28A (Ta), 172A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Αποθέμα:

RFQ Online

12856458

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTMFS5830NLT1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

40 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

28A (Ta), 172A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

3V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

113 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

5880 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

3.2W (Ta), 125W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Συσκευασία / Θήκη

8-PowerTDFN, 5 Leads

Βασικός αριθμός προϊόντος

NTMFS5

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

NTMFS5830NLT1G-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

1,500

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

renesas-electronics-america

RJK6026DPE-00#J3

MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK

onsemi

NTHL065N65S3F

MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3

onsemi

NVTFS004N04CTAG

MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN

onsemi

NTD5803NT4G

MOSFET N-CH 40V 76A DPAK