NTPF125N65S3H
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTPF125N65S3H

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTPF125N65S3H-DG

Περιγραφή:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 24A (Tj) 37W (Tc) Through Hole TO-220FP

Αποθέμα:

12964221
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTPF125N65S3H Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
24A (Tj)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 2.1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2200 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
37W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FP
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
488-NTPF125N65S3HTR-DG
488-NTPF125N65S3HCT-DG
488-NTPF125N65S3HDKR
488-NTPF125N65S3H
488-NTPF125N65S3HDKRINACTIVE
488-NTPF125N65S3HCT
488-NTPF125N65S3HCTINACTIVE
488-NTPF125N65S3HDKR-DG
488-NTPF125N65S3HTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
panjit

PJC7401_R1_00001

SOT-323, MOSFET

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J374R,LXHF

SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10

vishay-siliconix

SIR880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

onsemi

NTPF250N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE